: : Разделы сайта : :
: : Партнёры : :
- Гость
Пожалуйста, зарегистрируйтесь
: : Ещё интересное : :
: : Партнеры : :
Обратная связьСвязь с администрацией
• Новости планеты и технологий » Information technology (IT) » Samsung представила микросхему DRAM на 8 ГБ ОЗУ
Samsung представила микросхему DRAM на 8 ГБ ОЗУ
- 21-10-2016, 09:10 Раздел: Information technology (IT) » Samsung представила микросхему DRAM на 8 ГБ ОЗУ
Компания Samsung представила микросхему DRAM на 8 ГБ оперативной памяти. Предположительно, чип будет использоваться в новом поколении флагманской линейки Galaxy.
Как пояснили представители южнокорейской компании, новая микросхема памяти типа LPDDR4 на 8 ГБ включает в себя четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4 и базируется на 10-нанометровом технологическом процессоре. Скорость работы такого чипа достигает 4266 Мбит/с., что позволяет производить даже самые ресурсозатратные операции в считанные секунды. Примечательно, что энергии такая ОЗУ-микросхема потребляет столько же, сколько и ее 4-гигабайтная предшественница.
Вице-президент подразделения Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics Джу Сан Чой рассказал, что выход микросхемы DRAM на 8 ГБ в расширит возможности будущих поколений флагманский мобильных устройств, потребности которых также возрастут с учетом новых функций, таких, как, например, двойная камера или поддержка 4K UHD и VR.
Читайте также:
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Как пояснили представители южнокорейской компании, новая микросхема памяти типа LPDDR4 на 8 ГБ включает в себя четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4 и базируется на 10-нанометровом технологическом процессоре. Скорость работы такого чипа достигает 4266 Мбит/с., что позволяет производить даже самые ресурсозатратные операции в считанные секунды. Примечательно, что энергии такая ОЗУ-микросхема потребляет столько же, сколько и ее 4-гигабайтная предшественница.
Вице-президент подразделения Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics Джу Сан Чой рассказал, что выход микросхемы DRAM на 8 ГБ в расширит возможности будущих поколений флагманский мобильных устройств, потребности которых также возрастут с учетом новых функций, таких, как, например, двойная камера или поддержка 4K UHD и VR.
Читайте также:
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
- Комментариев: 0
Похожие новости:
Количество предзаказов на Samsung Galaxy Note 7 превзошло все ожиданияРелиз Samsung Galaxy Note 7 был перенесён в связи с огромным спросом на новый девайс. Руководство южнокорейской компании даже по самым оптимистичным прогнозам не могло себе представить такого
Samsung Galaxy S8 обретет 4K-экранСогласно данным мировых СМИ, Samsung разрабатывает новый флагманский смартфон Galaxy S8. По данным MyDrivers у аппарата будет 4К-эркан
Компания Samsung анонсировала бюджетный смартфон Galaxy J1 Ace NeoКомпания Samsung сделала анонс новой бюджетной модели Galaxy J1 Ace Neo. Также представители рассказали главные особенности нового устройства.
Samsung рассказал о деталях процессора Exynos 8 OctaПредставители Samsung поделились деталями нового процессора Exynos 8 Octa. Об этом они рассказали на пресс-конференции, которая прошла в рамках Samsung Electronics в Барселоне 21 февраля.
Samsung представила SSD 850 Pro с 3D флеш-памятьюКомпания Samsung выпустила новые потребительские твердотельные накопители модели 850 Pro. Они представлены в вариантах ...
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.